Справочник MOSFET. SSI4N80A

 

SSI4N80A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSI4N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK

 Аналог (замена) для SSI4N80A

 

 

SSI4N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  1
 ssi4n80a ssw4n80a.pdf

SSI4N80A SSI4N80A

 0.1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf

SSI4N80A SSI4N80A

 9.1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf

SSI4N80A SSI4N80A

 9.2. Size:181K  1
 ssi4n90a ssw4n90a.pdf

SSI4N80A SSI4N80A

 9.3. Size:217K  1
 ssi4n60a ssw4n60a.pdf

SSI4N80A SSI4N80A

 9.4. Size:644K  fairchild semi
 ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf

SSI4N80A SSI4N80A

November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A , SKD502T , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , SSI7N60A , SSP10N60A .

 

 
Back to Top