FHU50N06A Todos los transistores

 

FHU50N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHU50N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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FHU50N06A Datasheet (PDF)

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FHU50N06A

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FHU50N06A

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

Otros transistores... FHU4N65D , FHD4N65D , FHP4N65D , FHF4N65D , FHU4N65E , FHD4N65E , FHP4N65E , FHF4N65E , IRFP450 , FHD50N06A , FHU540A , FHD540A , FHU5N60A , FHD5N60A , FHP5N60A , FHF5N60A , FHU5N65B .

History: IRF640NS | STY130NF20D | ME35N06-G | AOW15S60 | MIC94050YM4TR | DMG6968U-7 | NTMFS4823NT1G

 

 
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