FHD630A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHD630A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de FHD630A MOSFET
FHD630A Datasheet (PDF)
fhu630a fhd630a fhp630a fhf630a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU630A/FHD630A /FHP630A /FHF630A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 9A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 24pF) Low Crss (typical 24pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.3 Fast switching Qg-typ 12nC 100% 100% avalanche tested dv/d
Otros transistores... FHD5N65B , FHP5N65B , FHF5N65B , FHU5N65C , FHD5N65C , FHP5N65C , FHF5N65C , FHU630A , IRF530 , FHP630A , FHF630A , FHU70N03A , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGMH022N10LL | AGMH022N10H | AGM85P10D | AGM85P10A | AGM7N65D | AGM6N20D | AGM665E | AGM665D | AGM65R380F | AGM655D | AGM628S | AGM628MN | AGM628MD | AGM628MAP | AGM628M | AGM4025D
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735

