Справочник MOSFET. FHD630A

 

FHD630A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD630A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 91 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD630A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD630A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1084K  feihonltd
 fhu630a fhd630a fhp630a fhf630a.pdf pdf_icon

FHD630A

N N-CHANNEL MOSFET FHU630A/FHD630A /FHP630A /FHF630A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 9A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 24pF) Low Crss (typical 24pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.3 Fast switching Qg-typ 12nC 100% 100% avalanche tested dv/d

Другие MOSFET... FHD5N65B , FHP5N65B , FHF5N65B , FHU5N65C , FHD5N65C , FHP5N65C , FHF5N65C , FHU630A , 2N60 , FHP630A , FHF630A , FHU70N03A , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B .

History: HGD058N08SL | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | SSM6P15FU | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.