FHD630A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHD630A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
trⓘ - Время нарастания: 91 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-252
FHD630A Datasheet (PDF)
..1. Size:1084K feihonltd
fhu630a fhd630a fhp630a fhf630a.pdf
fhu630a fhd630a fhp630a fhf630a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU630A/FHD630A /FHP630A /FHF630A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 9A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 24pF) Low Crss (typical 24pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.3 Fast switching Qg-typ 12nC 100% 100% avalanche tested dv/d
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918