FHD70N03A Todos los transistores

 

FHD70N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD70N03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FHD70N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  feihonltd
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FHD70N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

 9.1. Size:135K  china
 fhd70.pdf pdf_icon

FHD70N03A

FHD70 NPN B C D E F G PCM Tc=25 70 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=2mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA VBEsat 2.5 V I

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