SSI4N90AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSI4N90AS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
Paquete / Cubierta: I2PAK
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SSI4N90AS Datasheet (PDF)
ssi4n60b ssi4n60b ssw4n60b.pdf
November 2001SSW4N60B / SSI4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to
Otros transistores... SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , IRFB31N20D , SSI5N80A , SSI5N90A , SSI6N70A , SSI7N60A , SSP10N60A , SSP1N50A , SSP1N60A , SSP2N60A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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