BR4953D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BR4953D
   Código: 4953D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.097 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BR4953D

BR4953D Datasheet (PDF)

..1. Size:921K blue-rocket-elect
br4953d.pdf

BR4953D Rev.H Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications

8.1. Size:743K blue-rocket-elect
br4953.pdf

BR4953(BRCS4953SC) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications

9.1. Size:66K motorola
mmbr4957.pdf

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History: NCE2301A | M7002NND03 | FHP20N40A | BL4N60A-P

Liste

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