Справочник MOSFET. BR4953D

 

BR4953D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR4953D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для BR4953D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR4953D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  blue-rocket-elect
 br4953d.pdf pdf_icon

BR4953D

BR4953D Rev.H Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications

 8.1. Size:743K  blue-rocket-elect
 br4953.pdf pdf_icon

BR4953D

BR4953(BRCS4953SC) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications

 9.1. Size:66K  motorola
 mmbr4957.pdf pdf_icon

BR4953D

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR4957LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR4957LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for highgain, lownoise amplifier oscillator and mixer applica-tions. Specifically packaged for thick and thinfilm circuits using surface mountcomponents. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHzIC = 30 mA

Другие MOSFET... FHP7N65B , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , STP65NF06 , BR50P06 , BR8810MF , BRA4N60 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP .

History: MMBFJ111 | STP30NF20 | CMPDM7002AE

 

 
Back to Top

 


 
.