BRD4N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD4N70
Código: BR4N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRD4N70
BRD4N70 Datasheet (PDF)
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