BRD70N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRD70N08
Código: BR70N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRD70N08
BRD70N08 Datasheet (PDF)
brd70n08.pdf
BRD70N08 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficienc
brd70n03.pdf
BRD70N03 Rev.E Dec.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. / Applications DC/
brd7002k2.pdf
BRD7002K2 Rev.J Jan.-2024 DATA SHEET / Descriptions SOT-363 N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a SOT-363 Plastic Package. / Features Sensitive gate trigger current and Low Holding current,ESD protected diode, HF Product.
brd7002k1.pdf
BRD7002K1 Rev.C Oct.-2021 DATA SHEET / Descriptions SOT-363 N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a SOT-363 Plastic Package. / Features Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected diode. HF product.
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
