SSP10N60A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSP10N60A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 74 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSP10N60A

SSP10N60A Datasheet (PDF)

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ssp10n60a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 25 (Max.) @ VDS = 600V Low RDS(ON) : 0.646 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

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Liste

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