2300F Todos los transistores

 

2300F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2300F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.9 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 46 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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2300F Datasheet (PDF)

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2300F
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GOFORD2300FDescription The2300F designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for variety of DC-DC applications. Schematic diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @2.5V

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