2300F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2300F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для 2300F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2300F даташит
2300f.pdf
GOFORD 2300F Description The 2300F designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for variety of DC-DC applications. Schematic diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @2.5V
Другие MOSFET... BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W , 13N50 , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 , G08N03D2 , G08N06S .
History: INK011BAP1
History: INK011BAP1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243

