G30N20K Todos los transistores

 

G30N20K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G30N20K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO-252

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G30N20K datasheet

 ..1. Size:4018K  goford
 g30n20k g30n20t g30n20f.pdf pdf_icon

G30N20K

GOFORD G30N20 Description The G30N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ 10V (Typ) 200V 62m 30A Schematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... G18N20K , G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , 20N50 , G30N20T , G30N20F , G33N03D3 , G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T .

History: JMPL0648AK | UT70N03G | 2SK2504 | SD5000N

 

 

 

 

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