GC11N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GC11N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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GC11N65F datasheet

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GC11N65F

GC11N65 GOFORD Description VDS RDS (ON ) ID The GC11N 65 uses advanced super junction technology and @ (Max) 10V design to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with low gate voltages. This device is suitable for 650V 360m 11 A industry s AC-DC SMPS requirement for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power application. General F

 9.1. Size:4032K  goford
 gc11n70k gc11n70t gc11n70f.pdf pdf_icon

GC11N65F

GOFORD GC11N70 Description RDS (ON ) The GC11N70 uses advanced super junction technology and VDS ID @ (max) 10V design to provide excellent R and low gate charge. This DS(ON) device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of 11 700V 395m A PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. General Features New technology for high

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