SSP3N70 Todos los transistores

 

SSP3N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSP3N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO220

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SSP3N70 datasheet

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SSP3N70

 9.1. Size:260K  fairchild semi
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SSP3N70

SSP3N90A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 4.679 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Chara

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SSP3N70

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 3.800 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

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SSP3N70

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 4.679 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

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History: SSI6N70A | FTA07N60 | LSD60R290HF | LSD60R099HT | STB9NK50Z | VN0106N5 | IRLL2705PBF

 

 

 

 

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