DMT3006LPS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMT3006LPS
   Código: T3006LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 456 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI5060-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMT3006LPS

DMT3006LPS Datasheet (PDF)

..1. Size:337K diodes
dmt3006lps.pdf

DMT3006LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En

0.1. Size:337K 1
dmt3006lps-13.pdf

6.1. Size:410K 1
dmt3006lfv-7.pdf

DMT3006LFV 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher C Density End Products 7m @ VGS = 10V 30V 60A Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling

6.2. Size:410K diodes
dmt3006lfv.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: