DMT32M5LPS Todos los transistores

 

DMT32M5LPS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMT32M5LPS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI5060-8
 

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DMT32M5LPS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  diodes
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DMT32M5LPS

DMT32M5LPS Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications

 0.1. Size:361K  1
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DMT32M5LPS

DMT32M5LPS Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications

 6.1. Size:284K  diodes
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DMT32M5LPS

DMT32M5LFG Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max Excellent Qgd RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converts Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 1.7m @ VGS = 10V

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History: C3M0065100K | STP12NK80Z | VBE165R07

 

 
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