DMTH8003SPS Todos los transistores

 

DMTH8003SPS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMTH8003SPS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 533 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: POWERDI5060-8

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DMTH8003SPS datasheet

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DMTH8003SPS

DMTH8003SPS Green 80V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (Type K) Product Summary Features C ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Environments C (Note 9) 100% Unclamped Inductive Switching Test in Production 3.9m @ VGS = 10V 100A Ensures More Reliable and Robust End Application 80V

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DMTH8003SPS

DMTH8003SPS Green 80V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (Type K) Product Summary Features C ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Environments C (Note 9) 100% Unclamped Inductive Switching Test in Production 3.9m @ VGS = 10V 100A Ensures More Reliable and Robust End Application 80V

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DMTH8003SPS

Green DMTH8012LPSW 80V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q) Product Summary Features Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID BVDSS RDS(ON) TC = +25 Environments C 53.7A 17m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 80V 23.5m @ VGS = 4.5V 44.3A and Robust End Appli

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DMTH8003SPS

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History: DMT3009LFVW | FQB8P10

 

 

 

 

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