2SK1796 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1796
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK1796 MOSFET
2SK1796 Datasheet (PDF)
2sk1796.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Otros transistores... 2SK1757 , 2SK1758 , 2SK1760 , 2SK1784 , 2SK1785 , 2SK1793 , 2SK1794 , 2SK1795 , IRFZ44 , 2SK1824 , 2SK1850 , 2SK1851 , 2SK1852 , 2SK1853 , 2SK1917-MR , 2SK193 , 2SK195 .
History: ME2312-G | WMM180N03TS
History: ME2312-G | WMM180N03TS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor