DMNH3010LK3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMNH3010LK3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: TO252
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DMNH3010LK3 datasheet
dmnh3010lk3.pdf
DMNH3010LK3 Green 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 55A 9.5m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 50A Low On-Resistance Fast Switching Speed Descrip
dmnh3010lk3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH3010LK3 FEATURES Drain Current I = 55A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu
Otros transistores... DMN80H2D0SCTI , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , 50N06 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 , DMNH6012LK3 , DMNH6021SK3 , DMNH6042SK3 .
History: 2N3971
History: 2N3971
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