DMNH3010LK3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMNH3010LK3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMNH3010LK3

DMNH3010LK3 Datasheet (PDF)

..1. Size:530K diodes
dmnh3010lk3.pdf

DMNH3010LK3 Green175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 55A 9.5m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 50A Low On-Resistance Fast Switching Speed Descrip

..2. Size:266K inchange semiconductor
dmnh3010lk3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH3010LK3FEATURESDrain Current I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

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Liste

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