DMNH3010LK3 Todos los transistores

 

DMNH3010LK3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMNH3010LK3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DMNH3010LK3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  diodes
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DMNH3010LK3

DMNH3010LK3 Green175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 55A 9.5m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 50A Low On-Resistance Fast Switching Speed Descrip

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
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DMNH3010LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH3010LK3FEATURESDrain Current I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Otros transistores... DMN80H2D0SCTI , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , 50N06 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 , DMNH6012LK3 , DMNH6021SK3 , DMNH6042SK3 .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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