Справочник MOSFET. DMNH3010LK3

 

DMNH3010LK3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMNH3010LK3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMNH3010LK3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  diodes
 dmnh3010lk3.pdf pdf_icon

DMNH3010LK3

DMNH3010LK3 Green175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 55A 9.5m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 50A Low On-Resistance Fast Switching Speed Descrip

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 dmnh3010lk3.pdf pdf_icon

DMNH3010LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH3010LK3FEATURESDrain Current I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... DMN80H2D0SCTI , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , 50N06 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 , DMNH6012LK3 , DMNH6021SK3 , DMNH6042SK3 .

 

 
Back to Top

 


 
.