DMNH3010LK3 - описание и поиск аналогов

 

DMNH3010LK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMNH3010LK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DMNH3010LK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMNH3010LK3 даташит

 ..1. Size:530K  diodes
 dmnh3010lk3.pdf pdf_icon

DMNH3010LK3

DMNH3010LK3 Green 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 55A 9.5m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 50A Low On-Resistance Fast Switching Speed Descrip

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 dmnh3010lk3.pdf pdf_icon

DMNH3010LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH3010LK3 FEATURES Drain Current I = 55A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

Другие MOSFET... DMN80H2D0SCTI , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , 50N06 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 , DMNH6012LK3 , DMNH6021SK3 , DMNH6042SK3 .

History: SVT078R0NT | TK5A65W | IPI072N10N3 | IRLML2030TR | SL5N100F | SI4966DY | SL4421

 

 

 

 

↑ Back to Top
.