Справочник MOSFET. DMNH3010LK3

 

DMNH3010LK3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMNH3010LK3
   Маркировка: NH3010L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 37 nC
   Время нарастания (tr): 19.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 190 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для DMNH3010LK3

 

 

DMNH3010LK3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  diodes
 dmnh3010lk3.pdf

DMNH3010LK3 DMNH3010LK3

DMNH3010LK3 Green175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Environments 55A 9.5m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) test in production 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 50A Low On-Resistance Fast Switching Speed Descrip

 ..2. Size:266K  inchange semiconductor
 dmnh3010lk3.pdf

DMNH3010LK3 DMNH3010LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH3010LK3FEATURESDrain Current I = 55A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top