ET4410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET4410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: SOP8
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ET4410 datasheet
et4410.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET4410 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 10A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 9 @ VGS = 10V, ID=6.9A 30V 10A 13@ VGS = 4.5V, ID=5.8A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Lead Pb -free and halogen-free Pin 1 / 2 / 3 Source Pin 4 Gate
Otros transistores... EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , AON6380 , ET4435 , ET6300 , ET6303 , ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 .
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