ET4410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ET4410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ET4410

ET4410 Datasheet (PDF)

..1. Size:841K eternal
et4410.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ET4410N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V, 10A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.9 @ VGS = 10V, ID=6.9A30V 10A13@ VGS = 4.5V, ID=5.8AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freePin 1 / 2 / 3: SourcePin 4: Gate

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: