ET8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET8205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 148 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
ET8205A Datasheet (PDF)
et8205a.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ET8205ADual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.19 @ VGS = 4.5V, ID=6A20V 6.0A 20@ VGS = 4.0V, ID=6A25@ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freePin 1
et8205b.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ET8205BDual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.16 @ VGS = 4.5V, ID=7A20V 7A19 @ VGS = 2.5V, ID=5.5AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeET8205B Pin Assignmetty & Sy
et8205.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ET8205Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.19 @ VGS = 4.5V, ID=6A20V 6.0A 20 @ VGS = 4.0V, ID=6A25 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeET82
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History: 18N10W | JSM2302 | 2SK3483-Z | NP82N04PDG | IPD50N06S4-09 | P2206BTF | FTK1N60F
History: 18N10W | JSM2302 | 2SK3483-Z | NP82N04PDG | IPD50N06S4-09 | P2206BTF | FTK1N60F



Liste
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