ET8205B Todos los transistores

 

ET8205B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ET8205B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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ET8205B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  eternal
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ET8205B

Eternal Semiconductor Inc.ET8205BDual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.16 @ VGS = 4.5V, ID=7A20V 7A19 @ VGS = 2.5V, ID=5.5AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeET8205B Pin Assignmetty & Sy

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ET8205B

Eternal Semiconductor Inc.ET8205ADual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.19 @ VGS = 4.5V, ID=6A20V 6.0A 20@ VGS = 4.0V, ID=6A25@ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freePin 1

 8.2. Size:467K  eternal
 et8205.pdf pdf_icon

ET8205B

Eternal Semiconductor Inc.ET8205Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.19 @ VGS = 4.5V, ID=6A20V 6.0A 20 @ VGS = 4.0V, ID=6A25 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeET82

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