ET8205B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ET8205B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Encapsulados: SOT23-6L
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ET8205B datasheet
et8205b.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET8205B Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 16 @ VGS = 4.5V, ID=7A 20V 7A 19 @ VGS = 2.5V, ID=5.5A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Lead Pb -free and halogen-free ET8205B Pin Assignmetty & Sy
et8205a.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET8205A Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 19 @ VGS = 4.5V, ID=6A 20V 6.0A 20@ VGS = 4.0V, ID=6A 25@ VGS = 2.5V, ID=5.2A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Lead Pb -free and halogen-free Pin 1
et8205.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET8205 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 19 @ VGS = 4.5V, ID=6A 20V 6.0A 20 @ VGS = 4.0V, ID=6A 25 @ VGS = 2.5V, ID=5.2A Features Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Lead Pb -free and halogen-free ET82
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History: AP01N40G-HF | TK15H50C
History: AP01N40G-HF | TK15H50C
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