ET8205B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ET8205B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
ET8205B Datasheet (PDF)
et8205b.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ET8205BDual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 7A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.16 @ VGS = 4.5V, ID=7A20V 7A19 @ VGS = 2.5V, ID=5.5AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeET8205B Pin Assignmetty & Sy
et8205a.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ET8205ADual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.19 @ VGS = 4.5V, ID=6A20V 6.0A 20@ VGS = 4.0V, ID=6A25@ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freePin 1
et8205.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ET8205Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.19 @ VGS = 4.5V, ID=6A20V 6.0A 20 @ VGS = 4.0V, ID=6A25 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package LeadPb-free and halogen-freeET82
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: CEU3423
History: CEU3423
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918