FIR12N60FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR12N60FG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 41 nC
Tiempo de subida (tr): 85 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 183 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR12N60FG
FIR12N60FG Datasheet (PDF)
fir12n60fg.pdf
FIR12N60FGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-220FSwitchng Regulator ApplicationFeatures BVDDS=600V (Min.) Low gate charge: Qg=41nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=0.65 (Max.) G D S 100% avalanche tested RoHS compliant device D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly LocationWW = Work WeekYAWWFIR12N60F = Specif
fir12n65fg.pdf
FIR12N65FGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-220FSwitchng Regulator ApplicationFeatures High Voltage : BVDSS=650V(Min.) Low Crss : Crss=14.6pF(Typ.) G Low gate charge : Qg=41nC(Typ.) D S Low RDS(on) : RDS(on)=0.65(Max.) D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly LocationYAWWWW = Work WeekFIR12N65FFIR12N65F = Specific Device C
fir120n055pg.pdf
FIR120N055PGN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220ABDescriptionThe FIR120N055PG uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =55V,ID =120A RDS(ON)
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