FIR2N60ALG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR2N60ALG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
Tiempo de subida (tr): 23.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 13 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR2N60ALG
FIR2N60ALG Datasheet (PDF)
fir2n60alg.pdf
FIR2N60ALGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-252(D-PAK)General DescriptionFIR2N60ALG is an N-channel enhancement mode powerMOS field effect transistor which is produced using Silan Dproprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved Gplanar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, prov
fir2n65abpg.pdf
FIR2N65ABPGFIR2N65ABPG650V N-Channel MOSFET -I PIN Connection TO-251(I-PAK)Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=6.7nC (Typ.).G D S BVDSS=650V,ID=2A RDS(on) : 5.0 (Max) @VG=10VgSchematic dia ram 100% Avalanche TestedD G S Marking DiagramY
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