Справочник MOSFET. FIR2N60ALG

 

FIR2N60ALG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FIR2N60ALG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для FIR2N60ALG

 

 

FIR2N60ALG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1681K  first semi
 fir2n60alg.pdf

FIR2N60ALG FIR2N60ALG

FIR2N60ALGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-252(D-PAK)General DescriptionFIR2N60ALG is an N-channel enhancement mode powerMOS field effect transistor which is produced using Silan Dproprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved Gplanar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, prov

 6.1. Size:3992K  first semi
 fir2n60afg.pdf

FIR2N60ALG FIR2N60ALG

FIR2N60AFGN-Channel Power MOSFETPIN Connection TO-220FVDSS 600 VID 2 APD (TC=25) 35 WRDS(ON) 4.5 G Features D S Fast Switching gSchematic dia ram Low ON Resistance D Low Gate Charge Low Reverse transfer capacitances G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Marking DiagramApplicationsPower switch circuit of adaptor and charger. Y = Year

 8.1. Size:2194K  first semi
 fir2n65afg.pdf

FIR2N60ALG FIR2N60ALG

FIR2N65AFGAdvanced N-Ch Power MOSFET-XPIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=6.5nC (Typ.). BVDSS=650V,ID=2AG RDS(on) : 4.2 (Typ) @VG=10VDS 100% Avalanche TestedgSchematic dia ramDGSY = YearA = Assembly LocationWW = Wor

 8.2. Size:2967K  first semi
 fir2n65abpg.pdf

FIR2N60ALG FIR2N60ALG

FIR2N65ABPGFIR2N65ABPG650V N-Channel MOSFET -I PIN Connection TO-251(I-PAK)Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=6.7nC (Typ.).G D S BVDSS=650V,ID=2A RDS(on) : 5.0 (Max) @VG=10VgSchematic dia ram 100% Avalanche TestedD G S Marking DiagramY

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFI624G

 

 
Back to Top