HOA2303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HOA2303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HOA2303

HOA2303 Datasheet (PDF)

..1. Size:457K guangdong hottech
hoa2303.pdf

Plastic-Encapsulate MosfetsHOA2303 P-Channel MOSFETFEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices 1.Gate DC/DC Converter 2.SourceSOT-233.DrainMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current ID -1.9A Continuous So

8.1. Size:827K guangdong hottech
hoa2307.pdf

Plastic-Encapsulate MosfetsFEATURESHOA2307Lower on-resistanceP-Channel MOSFETReliable and RuggedAbsolute Maximum Ratings (TA=25oC, unless otherwise noted)Parameter Symbol Ratings UnitDrain-Source Voltage VDS -30 V1.GateGate-source Voltage VGS 20 V 2.SourceSOT-23a3.DrainDrain Current (Continuous) ID -2.7 AobTotal Power Dissipation @TA=25 C PD 1.1 WOperating Ju

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: