SPN3006 Todos los transistores

 

SPN3006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPN3006
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 TO251S
 

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SPN3006 Datasheet (PDF)

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SPN3006

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 9.1. Size:174K  syncpower
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SPN3006

SPN30T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power System The SPN30T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. SPN30T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC conver

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History: AOD418 | WMM28N50C4 | GSM4134W | HU30N03 | 2SJ400 | SFF80N20PDB | NVB082N65S3F

 

 
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