SPN3006 Todos los transistores

 

SPN3006 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPN3006
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 TO251S

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SPN3006 Datasheet (PDF)

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SPN3006 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Synchronous Buck Converter The SPN3006 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Power System power field effect transistors are produced using high cell Load Switch density, DMOS trench technology. The SPN3006 has been designed specifically to improve the overall efficiency of

 9.1. Size:174K  syncpower
spn30t10.pdf

SPN3006
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SPN30T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS High Frequency Small Power System The SPN30T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. SPN30T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC conver

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