SSP70N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSP70N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: TO220
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SSP70N10A datasheet
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SSP70N10A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.023 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 55 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.018 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbo
ssp70n10a.pdf
SSP70N10A www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.018 at VGS = 10 V 100 70a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE M
ssf70r650s2 ssp70r650s2 sst70r650s2.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 700V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*70R650S2 Rev. 1.2 May. 2022 www.supersemi.com.cn SSF70R650S2/SSP70R650S2/SST70R650S2 700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizin
ssf70r190s2 ssp70r190s2.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 700V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*70R190S2 Rev. 1.1 Aug. 2022 www.supersemi.com.cn SSF70R190S2/SSP70R190S2 700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advance
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