HB100N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HB100N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 115 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HB100N08

HB100N08 Datasheet (PDF)

..1. Size:4136K haolin elec
hb100n08 hp100n08.pdf

HB100N08 \HP100N08N-Channel Trench Power MOSFET General Description -channel 100N08 is N MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=100A@VGS=10V; RDS(ON)

7.1. Size:331K philips
phb100n03lt-01.pdf

PHB100N03LTN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 07 September 2000 Product specificationM3D1661. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHB100N03LT in SOT404 (D2-PAK).2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Avalanche ruggedness rated

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Liste

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