HP3710P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP3710P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HP3710P MOSFET
HP3710P Datasheet (PDF)
hb3710p hp3710p.pdf

HB3710P,HP3710P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching TO-263TO-220 100% avalanche tested Improved dv/dt capability2113231.Gate 2. Drain 3. SourceAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym
Otros transistores... HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , IRF4905 , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D .
History: SML1001RHN | WMM12N80M3 | SI4947DY | ISCNH346F
History: SML1001RHN | WMM12N80M3 | SI4947DY | ISCNH346F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet