HP3710P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP3710P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 200 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 105 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 610 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HP3710P
HP3710P Datasheet (PDF)
hb3710p hp3710p.pdf
HB3710P,HP3710P100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching TO-263TO-220 100% avalanche tested Improved dv/dt capability2113231.Gate 2. Drain 3. SourceAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Sym
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