HD30N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HD30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 23 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 13.5 nC
Tiempo de subida (tr): 3.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HD30N06
HD30N06 Datasheet (PDF)
hd30n06 hu30n06.pdf
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hd30n03 hu30n03.pdf
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Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 19mHD30N03 / HU30N03ID = 20 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) Ext
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