HD30N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HD30N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: TO252
Búsqueda de reemplazo de HD30N06 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HD30N06 datasheet
hd30n06 hu30n06.pdf
Nov 2019 BVDSS = 60 V RDS(on) = 32 m HD30N06 / HU30N06 ID = 30 A 60V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Exte
hd30n03 hu30n03.pdf
Nov 2009 BVDSS = 30 V RDS(on) = 19m HD30N03 / HU30N03 ID = 20 A 30V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18.5 nC (Typ.) Ext
Otros transistores... HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , IRFP260 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c