HU30N06 Todos los transistores

 

HU30N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HU30N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO251

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HU30N06 datasheet

 ..1. Size:2179K  haolin elec
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HU30N06

Nov 2019 BVDSS = 60 V RDS(on) = 32 m HD30N06 / HU30N06 ID = 30 A 60V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Exte

 8.1. Size:1392K  haolin elec
 hd30n03 hu30n03.pdf pdf_icon

HU30N06

Nov 2009 BVDSS = 30 V RDS(on) = 19m HD30N03 / HU30N03 ID = 20 A 30V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18.5 nC (Typ.) Ext

Otros transistores... HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , 4435 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 .

History: AP95T10GP | 4N60L-TN3-R | SWD4N50K | RUF020N02 | AOWF10N60 | SWD80N04V | HM4354

 

 

 

 

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