Справочник MOSFET. HU30N06

 

HU30N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HU30N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HU30N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU30N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2179K  haolin elec
 hd30n06 hu30n06.pdf pdf_icon

HU30N06

Nov 2019BVDSS = 60 VRDS(on) = 32 mHD30N06 / HU30N06ID = 30 A60V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N06 HU30N06 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exte

 8.1. Size:1392K  haolin elec
 hd30n03 hu30n03.pdf pdf_icon

HU30N06

Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 19mHD30N03 / HU30N03ID = 20 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD30N03 HU30N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) Ext

Другие MOSFET... HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , 2SK3568 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 .

History: IPI80P03P4L-04 | IRL1004PBF | RD3L220SN | RU40S4H | SE12060GA | PSMN017-30BL | 7N80G-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.