HU50N06D Todos los transistores

 

HU50N06D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HU50N06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO251

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HU50N06D datasheet

 ..1. Size:2042K  haolin elec
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HU50N06D

Nov 2019 BVDSS = 60 V RDS(on) = 15 m HD50N06D / HU50N06D ID = 50 A 60V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD50N06D HU50N06D Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.)

 0.1. Size:738K  feihonltd
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HU50N06D

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 7.1. Size:299K  feihonltd
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HU50N06D

Otros transistores... HP3710P , HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , K4145 , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 .

History: SUD25N15-52 | JCS10N65CT | IPI111N15N3 | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T

 

 

 

 

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