HD5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HD5N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 520 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HD5N50

HD5N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:1853K haolin elec
hd5n50 hu5n50.pdf

June 2017BVDSS = 520 VRDS(on) typ = 1.5 HD5N50 / HU5N50ID = 5.0 A520V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD5N50 HU5N50 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.)

0.1. Size:198K vishay
sihd5n50d.pdf

SiHD5N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.5 - Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 20- Reduced Capacitive Switching Losses- High Body Diode RuggednessQgs (nC) 3Available- Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd

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Liste

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