HD5N50 Todos los transistores

 

HD5N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD5N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 520 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm

Encapsulados: TO252

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HD5N50 datasheet

 ..1. Size:1853K  haolin elec
 hd5n50 hu5n50.pdf pdf_icon

HD5N50

 0.1. Size:198K  vishay
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HD5N50

SiHD5N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.5 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 20 - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness Qgs (nC) 3 Available - Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd

Otros transistores... HD1H15A , HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , 13N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 .

History: 4N65G-TF3T-T | JCS10N60BT | IRF7342QPBF | AOU2N60 | AP0203GMT-HF | BF999 | 4N60G-TQ2-R

 

 

 

 

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