HD60N75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HD60N75
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 40 nC
Tiempo de subida (tr): 105 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HD60N75
HD60N75 Datasheet (PDF)
hd60n75 hu60n75.pdf
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hd60n03 hu60n03.pdf
Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 0.014HD60N03 / HU60N03ID = 60 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) E
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