HD60N75 Todos los transistores

 

HD60N75 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD60N75

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de HD60N75 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HD60N75 datasheet

 ..1. Size:2721K  haolin elec
 hd60n75 hu60n75.pdf pdf_icon

HD60N75

Nov 2009 BVDSS = 75V RDS(on) = 16 m HD60N75 / HU60N75 ID = 60 A 75V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD60N75 HU60N75 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Exten

 9.1. Size:2558K  haolin elec
 hd60n03 hu60n03.pdf pdf_icon

HD60N75

Nov 2009 BVDSS = 30 V RDS(on) = 0.014 HD60N03 / HU60N03 ID = 60 A 30V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18.5 nC (Typ.) E

Otros transistores... HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , IRF1010E , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U .

History: KCM3650A | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SCG3019 | SWD070R08E7T | 2SK1405

 

 

 

 

↑ Back to Top
.