HD60N75 - описание и поиск аналогов

 

HD60N75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD60N75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HD60N75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HD60N75 даташит

 ..1. Size:2721K  haolin elec
 hd60n75 hu60n75.pdf pdf_icon

HD60N75

Nov 2009 BVDSS = 75V RDS(on) = 16 m HD60N75 / HU60N75 ID = 60 A 75V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD60N75 HU60N75 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 40 nC (Typ.) Exten

 9.1. Size:2558K  haolin elec
 hd60n03 hu60n03.pdf pdf_icon

HD60N75

Nov 2009 BVDSS = 30 V RDS(on) = 0.014 HD60N03 / HU60N03 ID = 60 A 30V N-Channel MOSFET TO-252 TO-251 FEATURES Originative New Design HD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18.5 nC (Typ.) E

Другие MOSFET... HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , IRF1010E , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.