HD60P03 Todos los transistores

 

HD60P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD60P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO252

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HD60P03 datasheet

 ..1. Size:2508K  haolin elec
 hd60p03 hu60p03.pdf pdf_icon

HD60P03

HD60P03 / HU60P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 60P03 uses advanced trench technology to provide BVDSS = -30V excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. m RDS(on) typ =13 ID = -50 A GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -20A TO-252 TO-251 RDS(ON)

Otros transistores... HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , AON6380 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U .

History: SWD062R68E7T | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWD8N80K | SWD070R08E7T | HU60P03

 

 

 

 

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