HD60P03 Todos los transistores

 

HD60P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD60P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HD60P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2508K  haolin elec
 hd60p03 hu60p03.pdf pdf_icon

HD60P03

HD60P03 / HU60P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The 60P03 uses advanced trench technology to provide BVDSS = -30Vexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. mRDS(on) typ =13 ID = -50 AGENERAL FEATURES VDS = -30V,ID = -20A TO-252 TO-251RDS(ON)

Otros transistores... HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , IRLZ44N , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U .

History: KHB5D0N50F2 | IRLL014PBF | SML20B67F | PSMN2R2-40BS | KP8M10 | IRC740PBF | RP1E100XN

 

 
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