HU830U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HU830U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 38 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 550 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 15.5 nC
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HU830U
HU830U Datasheet (PDF)
hd830u hu830u.pdf
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hd830 hu830.pdf
June 2009BVDSS = 550 VRDS(on) typ = 1.5 HD830 / HU830ID = 5 A550V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD830 HU830 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.) Exte
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