HF10N60 Todos los transistores

 

HF10N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HF10N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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HF10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  haolin elec
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HF10N60
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Nov 2005BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.64 HF10N60ID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 44 nC (Typ.) Extended Safe Operat

 0.1. Size:668K  feihonltd
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HF10N60
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N N-CHANNEL MOSFET FHP10N60A/ FHF10N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.68 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 45nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATION High efficiency switch mode power su

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N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65B/FHF10N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.75 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 30nC dv/dt

 8.2. Size:543K  feihonltd
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N N-CHANNEL MOSFET FHP10N65A/FHF10N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 10A Crss ( 18pF) Low Crss (typical 18pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.8 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested Qg-typ 29nC dv/dt Improved dv/dt capability RoHS RoHS product APPLICATIONHigh efficiency switch mode pow

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