HF20N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HF20N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 231 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
Encapsulados: TO220F
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HF20N50 datasheet
hf20n50 hp20n50.pdf
HF20N50,HP20N50 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise noted C, Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 V Continu
Otros transistores... HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , IRF1407 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 , HP25N50 , HF5N65 , HF640 , HP640 .
History: APT1001RBVFR | JMSH0606PGD | JMSL0401BGQ
History: APT1001RBVFR | JMSH0606PGD | JMSL0401BGQ
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