HF20N60 Todos los transistores

 

HF20N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HF20N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HF20N60 datasheet

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HF20N60

HF20N60,HP20N60 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise noted C, Value Parameter Symbol Unit TO-220 TO-220F/ Drain-Source Voltage (VGS = 0V)

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HF20N60

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HF20N60

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History: AP95T07AGP | ASDM3401ZB | SMY52 | HM4412A | APT1001RSLC | 2SK1009

 

 

 

 

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