HF25N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HF25N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HF25N50 datasheet

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HF25N50

HF25N50,HP25N50 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise noted C, Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 V Continu

Otros transistores... HD840U, HU840U, HF10N60, HF12N60, HF20N50, HP20N50, HF20N60, HP20N60, RFP50N06, HP25N50, HF5N65, HF640, HP640, HFS13N50, HP120N04, HP16N10, HF16N10