HF25N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HF25N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 173 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 66 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 325 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HF25N50
HF25N50 Datasheet (PDF)
..1. Size:4283K haolin elec
hf25n50 hp25n50.pdf
hf25n50 hp25n50.pdf
HF25N50,HP25N50500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 VContinu
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
