HF25N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HF25N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de HF25N50 MOSFET
HF25N50 Datasheet (PDF)
hf25n50 hp25n50.pdf

HF25N50,HP25N50500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 VContinu
Otros transistores... HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , SKD502T , HP25N50 , HF5N65 , HF640 , HP640 , HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 .
History: STN4826 | QM3004N3



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