HF25N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

HF25N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HF25N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HF25N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HF25N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4283K  haolin elec
 hf25n50 hp25n50.pdf pdf_icon

HF25N50

HF25N50,HP25N50500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 VContinu

Другие MOSFET... HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , IRF2807 , HP25N50 , HF5N65 , HF640 , HP640 , HFS13N50 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 .

History: NCE2003 | AP4407GP | SLF18N50C | IRHM7250 | PTP02N04NB | MDD4N60BRH

 

 
Back to Top

 


 
.