HP25N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HP25N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HP25N50

HP25N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:4283K haolin elec
hf25n50 hp25n50.pdf

HF25N50,HP25N50500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 VContinu

0.1. Size:158K vishay
sihp25n50e.pdf

SiHP25N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.145 Reduced switching and conduction lossesQg (Max.) (nC) 86 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 14Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS)Config

9.1. Size:208K vishay
sihp25n40d.pdf

SiHP25N40Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 450- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.17- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 88- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 12 - High Body Diode Ruggedness- Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 23

9.2. Size:138K vishay
sihp25n60efl.pdf

SiHP25N60EFLwww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFET with Fast Body Diode and Low Gate ChargeFEATURESPRODUCT SUMMARY Reduced figure-of-merit (FOM): Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Fast body diode MOSFET using E series RDS(on) typ. () at 25 C VGS = 10 V 0.127technologyQg (Max.) (nC) 75 Reduced trr, Qrr, and IRRMQgs (nC) 17 Increased robust

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: