HF5N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HF5N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HF5N65
HF5N65 Datasheet (PDF)
hf5n65.pdf
July 2005BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 2.8 HF5N65ID = 5.0 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.) Extended Safe Operati
fhu5n65b fhd5n65b fhp5n65b fhf5n65b.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65B/FHD5N65B/FHP5N65B/FHF5N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested
fhu5n65c fhd5n65c fhp5n65c fhf5n65c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65C/FHD5N65C/FHP5N65C/FHF5N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested
fhu5n60a fhd5n60a fhp5n60a fhf5n60a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU5N60A/FHD5N60A /FHP5N60A /FHF5N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested
fhf5n60.pdf
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.comFHF5N60FHF5N60NMOSAC-DCDC-DCHPMWDS DSDSDS 5A,600VR (on)(1.97 TC=25
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Liste
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